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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制

SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制 - 道客巴巴

2019年6月30日全日制硕士学位论文Researchofchemicalmechanicalfixed-abrasivepolishingpadofSiCsinglecrystal申请人姓名：刘志响指导教师：苏建修教授学位 ...出现检索词的位置SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制 - 百度学术

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

2019年12月10日我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限，指出了其在化学机械抛光领域的发展前景。我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限，指出了其在化学机械抛光领域的发展前景。单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展 Research progress ...

SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究-【维普期刊官网 ...

摘要本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结 2022年7月30日摘要：由于单晶碳化硅 (SiC) 的传统化学机械抛光 (chemical mechanical polishing, CMP)技术加工效率低, 故提高 SiC 表面质量和材料去除率成为研究热点. 总结了 CMP 单晶 SiC 的化学机械抛光及辅助技术的研究进展 - shu.cn

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展 - wanfangdata.cn

2020年3月22日摘要：单晶SiC因其优异的物理化学性质而成为重要的外延衬底材料,广泛应用于卫星通信、集成电路和消费电子等领域.衬底外延生长需要单晶SiC具有较低的加工表面损伤和本文以2英寸6H-SiC单晶片为对象,研究固结磨料摩擦化学机械研磨法对碳化硅单晶片材料去除率、表面粗糙度的影响,并探究其摩擦化学反应过程和材料去除机理。SiC单晶基片固结磨粒摩擦化学机械研磨研究 - 百度学术

单晶 SiC 的化学机械抛光及辅助技术的研究进展 - shu.cn

单晶 SiC 的化学机械抛光及辅助技术的研究进展张佩嘉, 雷红 Research progress of chemical mechanical polishing and auxiliary technology of single crystal SiC摘要：为了解决传统SiC化学机械抛光 (CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展

SiC单晶基片固结磨粒摩擦化学机械研磨研究 - 百度学术

比较了研磨膏中主要因素的作用结果,发现氧化剂和磨粒的交互作用为主,机械作用为辅,为下一步固结磨料研磨盘的研制提供参考。(2)固结磨料摩擦化学机械研磨SiC基片研磨盘研究根据游离磨料摩擦化学机械研磨研究,提出固结磨料研磨盘成分,并对其成分进行选择和摘要：本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率.SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究 - 百度学术

固结磨料抛光垫作用下的材料去除速率模型 - 豆丁网

2017年5月15日 -----固结磨料抛光垫作用下的材料去除速率模型2006年6月总第153期第3期..-----固结磨料抛光垫作用下的材料去除速率模型2006年6月总第153期第3期金刚石与磨料磨具工程DiamondAbrasivesEngineeringJune.2006Serial.153 No.3文章编号:1006-852X(2006)03-0038-04朱永伟何建桥(南京航空航天大学机电学院,江苏南京,210016)摘要在 ...2024年3月22日在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。 ... FA-CMP工艺是把磨料固结在抛光垫中，研磨液不再添加磨料，而是只含有基本化学成分的水溶液或去离子水。来自外部的压力 ...郑州千磨谈：半导体｜碳化硅晶片的化学机械抛光技术实践sic ...

单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展-期刊-钛学术 ...

“单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展”出自《哈尔滨工业大学学报》期刊2018年第7期文献，主题关键词涉及有碳化硅(SiC)、化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛光(ECMP)、催化辅助、固结磨粒抛光等。钛学术提供该文献下载服务。2020年2月8日 SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制星级： 81 页硅单晶片研磨液的研究星级： 3 页硅单晶片研磨液的研究星级： 3 页硅单晶片研磨液的研究星级： 3 页暂无目录点击鼠标右键菜单,创建目录 ...超声辅助单晶SiC晶片的研磨与化学机械抛光研究 - 道客巴巴

耦合能量超精密加工SiC单晶基片的机理与工艺研究-国家 ...

重点研究应用热-化学-机械能量耦合固结磨料研磨盘研磨及热-化学-机械能量耦合固结磨料抛光垫抛光SiC单晶基片过程中在热作用下的微观力学行为、物理化学效应、机械摩擦作用及能量耦合机理,分析其材料去除、平整度和表面形成机理以及表面损伤的产生机理1.单晶SiC化学机械抛光液化学反应参数研究 [J], 阎秋生;徐少平;路家斌;宋涛 2.SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究 [J], 张竹青;罗玉梅 3.单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展 [J], 邓家云; 潘继生; 张棋翔; 郭晓辉; 阎秋生单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展_百度文库

2024最新：单晶SiC超精密加工研究进展

2024年5月20日 2021年,P.Zhou等人采用分子动力学方法研究了多磨粒随机分布的固结磨料抛光SiC基片的表面形貌、亚表面损伤特征。结果表明,多磨粒在单一粗糙面中的暴露高度和磨粒分布决定了SiC衬底的去除行为;金刚石颗粒在固结磨料抛光垫中的随机分布会使加工质量变差。2024年3月22日在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。 ... FA-CMP工艺是把磨料固结在抛光垫中，研磨液不再添加磨料，而是只含有基本化学成分的水溶液或去离子水。来自外部的压力 ...行业知识小课堂！半导体｜碳化硅晶片的化学机械抛光技术

郑州千磨谈：半导体｜碳化硅晶片的化学机械抛光技术实践

2024年3月22日在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。 ... FA-CMP工艺是把磨料固结在抛光垫中，研磨液不再添加磨料，而是只含有基本化学成分的水溶液或去离子水。来自外部的压力 ...“固结磨料研磨-新型绿色环保抛光液化学机械抛光暠新方法。固结磨料研磨工艺为:采用3000 ... 光球抛光液,对CZT单晶片进行研磨-机械抛光-化学机械抛光精密加工,获得了光滑表面,与查钢强等[5]的结果相比,表面粗糙度值有较大幅 ...新型环保抛光液的制备及其对软脆碲锌镉晶片的化学机械抛光

SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 - 杭州九朋新材料 ...

2019年11月18日关键词 SiC单晶片，化学机械抛光，粗糙度，抛光效率 0引言 SiC单晶片是继第一代半导体材料(Ge和Si)、第二代半导体材料(GaAs、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料，具有大的禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、低介 ...2019年6月30日全日制硕士学位论文Researchofchemicalmechanicalfixed-abrasivepolishingpadofSiCsinglecrystal申请人姓名：刘志响指导教师：苏建修教授学位 ...SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制 - 道客巴巴

单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdf - 原创力文档

2019年5月25日单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdf,第50卷第7期哈尔滨工业大学学报 Vol 50 No 7 20 18年7月 JOURNAL OF HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Jul． 2018 DOI：10．11918／ j．issn．0367⁃6234．202021年7月29日针对抛光过程中磨粒团簇造成工件表面损伤的问题，徐西鹏等人[65-66]提出了利用溶胶-凝胶( SG)技术制备半固定磨料抛光工具，采用机械抛光(金刚石磨料)､机械化学抛光(金刚石和 SiC 磨料)､化学机械抛光(金刚石磨料和 KNO 3 化学试剂)的抛光方法对金刚石进行金刚石化学机械抛光研究现状 - 电子工程专辑 EE Times China

碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

3 天之前 Luo 等使用金刚石和氧化铝磨料的半固结和固结抛光垫进行了对比试验，发现固结磨料抛光工具的材料去除尺度不均匀，从几纳米到几百纳米不等，很难保持表面的完整性；而使用半固结抛光垫却能够获得具有亚纳米级的光滑无划痕表面，同时在加工后的表面2019年11月18日固结磨料化学机械抛光技术也正是在这种情况下提出的，将输入变量集中在抛光垫身上，对抛光液和工件特征依赖性很小，是一种由非确定性精密加工转化成半确定性精密加工的绿色加工技术。1.3 固结磨料化学机械抛光技术 1.3.1 FA-CMP 的技术特点及优势固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究 - 杭州九朋新材料有限 ...

半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏

2024年2月1日经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工2024年1月24日在固结磨料工艺中，由于基于二体磨擦原理，不含磨料的研磨液具有依赖性较小、清洁简单和绿色环保等诸多优点; 但工艺上也存在一些不足，例如: 在固结磨料工艺处理过程中，采用突起均布的抛光垫， SiC 晶片在抛光垫上形成运动轨迹的密度是不一样的碳化硅晶片的化学机械抛光技术研究 - 电子发烧友网

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展 Research progress ...

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2020, 40(1): 79-91. DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013 ... 我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限，指出了其 ...在相同工艺参数下使用现有的化学机械抛光实验装置,研究了以下几个方面的参数对影响SiC晶片抛光加工效果的影响,改变芬顿体系抛光液中的催化剂Fe的形态和价位;.改变抛光液中的磨粒种类以及粒径大小,改变磨料在抛光液中的质量百分比,改变抛光液中的pH值基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光液研究 - 百度学术

超声辅助单晶SiC晶片的研磨与化学机械抛光研究 - 百度学术

对于磨料的二体磨损,采用刻划的方式对单晶SiC表面分别进行了不同刻划速率与刻划深度的仿真模拟;对于超声辅助下磨料的力学特性变化,探究了磨料在不同印压速率、冲击角度以及不同频率下对单晶SiC的力学作用。(2)分析了化学机械抛光机理与材料去除模型2024年1月25日在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。 ... FA-CMP工艺是把磨料固结在抛光垫中，研磨液不再添加磨料，而是只含有基本化学成分的水溶液或去离子水。来自外部的压力 ...碳化硅晶片的化学机械抛光技术_资讯_磨料磨具网_磨料磨具 ...

钨化学机械抛光工艺优化研究.pdf - 众赏文库

2024年3月9日半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究.pdf 300mm硅圆晶片铜化学机械抛光抛光液研究.pdf 铜与钌电化学机械抛光及其特性的研究.pdf 复合氧化铈的合成与其化学机械抛光性能.pdf SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制.pdf 铌酸锂晶体纳米压痕及化学1.SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究 [J], 张竹青;罗玉梅 2.基于蒙特卡罗方法的4H-SiC(0001)面聚并台阶形貌演化机理 [J], 李源;石爱红;陈国玉;顾秉栋 3.催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响 [J], 滕康;陈国美;倪自丰;钱善华;白亚雯SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究 - 百度文库

单晶SiC基片高效超精密磨粒加工技术基础研究_百度百科

单晶SiC基片的应用要求表面超光滑、超平坦、无损伤，其加工质量的优劣直接影响到器件的性能。目前SiC单晶的超精密加工主要沿用半导体硅片的游离磨料研磨和化学机械抛光方法，但SiC的莫氏硬度为9.2 ，仅次于金刚石，且化学稳定性非常好，常温下 ...2021年8月11日基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理，对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验，研究工艺参数对其抛光效果的影响。结果表明：随着金刚石磨粒粒径的增大，材料去除率先增大后减小，而表面粗糙度先减小后增大；随着磨粒质量分数的增大，材料去除率增大，而表面粗糙度先减小后增大 ...单晶SiC基片的磁流变化学复合抛光

半导体切割-研磨-抛光工艺简介 - 知乎

2023年6月18日半导体切割-研磨-抛光工艺简介切割工序SiC衬底切割是将晶棒切割为晶片，切割方式有内圆和外圆两种。由于SiC价格高，外圆、内圆刀片厚度较大，切割损耗高、生产效率低，加大了衬底的成本。直径较大的晶体，内圆、2024年8月26日目前，抛光 6H-SiC 单晶基片所使用的磨料有金刚石、碳化硅、氧化铝、二氧化硅、氧化铈等。其中，金刚石的硬度比 6H-SiC 单晶基片大，抛光速率最高，但缺点是抛光后工件亚表面损伤严重，不能满足 6H-SiC 单晶基片的使用要求。相比之下，金刚石 ...干式摩擦化学机械抛光：更绿色环保的SiC抛光工艺 ...

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